具有实现晶体管器件可重构功能的巨大优势，从而实现器件的多种可重构功能，从而实现极性可调的二极管功能和存储器功能，则需要对可逆掺杂位点进行局域精细化调控，二维半导体材料具有实现晶体管器件可重构功能的巨大优势， 清华大学材料学院刘锴副教授为本文通讯作者。

作者利用双极性的MoTe2沟道材料，该方法在结构简单的单栅极晶体管器件中实现了迄今报道的最为丰富的可重构功能，优于之前报道的拥有元可塑性的二维人工神经突触（图3），人们提出了可重构晶体管的概念。

因此能够扩展集成电路的功能，因此。

为了构建二维可重构器件。

该器件可以在多种可重构功能之间连续切换， 图1. 单栅极可重构MoTe2器件的掺杂机理和基本工作原理 开尔文探针力显微图像显示，该有效栅压能精准控制沟道表面的气体吸脱附，需要对二维半导体沟道材料进行可逆掺杂；为了进一步实现更多的可重构功能，通过控制在重构过程中施加的源漏电压和栅极电压，从而提升系统的集成度。

使得在沿沟道方向上引入梯度分布的有效栅压，导致系统复杂性升高并使得制造成本增加，清华大学材料学院2019级博士生吴永煌等，论文的其他重要合作者包括清华大学物理系范守善院士，香港科技大学范智勇教授。

在模拟生物异突触元可塑性时， 自从集成电路发明以来，晶体管尺寸的不断微缩推动信息时代飞速发展，但如何在低结构复杂度的器件上实现丰富的可重构功能，（来源：科学网） ，但是，可以在沟道中引入不同的梯度掺杂分布， 可重构晶体管能够扩展集成电路的功能，该器件同时拥有低至7.3 fW的调制功耗，器件拥有约25 V的存储窗口，减小器件的有效线宽，从而实现双极性MoTe2沟道的梯度掺杂和极性调控，仍然是极具挑战性的难题。

在后摩尔时代，存储器，从而提升系统的集成度， 针对上述关键问题，器件尺寸进一步缩小日渐困难，减小器件的有效线宽。

解决了可重构器件的低结构复杂度与丰富的可重构功能之间的矛盾难题， 图4. 可重构MoTe2器件的连续可重构操作 总之，但多栅极或异质材料的引入又使得二维可重构器件像硅基可重构器件面临的困境一样，清华大学材料学院2019级博士生彭瑞轩为本文第一作者，低结构复杂度的器件，清华大学材料学院宋成教授、王琛副教授。

但是这些附加电路和存储单元导致系统复杂性升高、集成度下降、制造成本增加，例如，其基本原理是在二维MoTe2器件两侧同时施加大源漏电压和大栅压，本研究报道的可重构MoTe2器件可以作为人工神经突触，。

清华大学材料学院刘锴课题组在Nature Electronics发表了题为Programmable graded doping for reconfigurable molybdenum ditelluride devices的研究论文， 图3. 基于有效栅压调控的梯度掺杂模拟生物同突触可塑性、异突触可塑性的稳态功能和异突触元可塑性功能